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PCIe® 5.0のパフォーマンスを最大限に引き出します。 9100 PROは、990 PROの 2倍である最大14,800/13,400 MB/秒の超高速シーケンシャル読み出し/書き込み速度を実現します。 Gen4では到達できない Gen5だからこそ可能となる最大 2,200K/2,600K IOPSのランダム読み出し/書き込み速度を実現します。
*シーケンシャルおよびランダム書き込みパフォーマンスは、特定のデータ転送サイズ内でのみ動作するIntelligent Turbo
Writeテクノロジーを有効にして測定されました。パフォーマンスは、SSDのファームウェア、システムのハードウェアと構成、その他の要因によって異なる場合があります。詳細については、最寄りのサービスセンターにお問い合わせください。
*9100 PROのパフォーマンスを最大化するには、Intelまたは AMDの Webサイトでシステムが PCIe® 5.0をサポートしているかどうかを確認してください。
生産性の限界を超えたスピード。爽快なランダム読み出し/書き込み速度により、無数の断片化されたデータを最大2,200K/2,600K IOPSで超高速並列処理できます。大規模なゲーム、高パフォーマンスのタスク、さらには AIアプリケーションに対しても優れた出力と即時ロードを体験してください。
インテリジェンスがパフォーマンスを再定義します。 9100 PROの最大 2,200K/2,600K IOPSの爽快なランダム読み出し/書き込み速度がもたらす素早いロード、スムーズなゲームプレイ、シームレスなパフォーマンスでオンボード AI PCや AIコンテンツ生成など、仕事や遊びの限界に挑戦しましょう。
*パフォーマンスは、SSD のファームウェア、システムのハードウェアと構成、その他の要因によって異なる場合があります。
最新の PCIe® 5.0インターフェイスを使用すると、ビデオ編集、3Dアート、さらには長時間のストリーミングセッションをスムーズに行うことができます。いつでも、どこでも、どのデバイスでも最先端のパフォーマンスを体験し、最大 8TBまでの拡張容量から必要なストレージを選択してください。
*8TBモデルの発売は2025年下半期を予定しております。
途切れることのない最高のパフォーマンス。高度な 5nmコントローラーの電力アーキテクチャにより、990 PROと比べて電力効率が最大49%向上します。卓越した熱制御により、フローが中断されることを防ぎ、最も要求の厳しいプログラムでも PCIe® 5.0の可能な最大電力で実行し続けます。
*表示されている画像は説明のみを目的としています。
*990 PROのシーケンシャル読み出し/書き込みはワットあたり 1,221/1,255 MB/秒、9100 PROヒートシンクモデルのシーケンシャル読み出し/書き込みはワットあたり 1,822/1,703
MB/秒。2TB 容量モデルの内部テスト結果に基づいています。
9100 PRO ヒートシンクモデルは、驚くほど薄い8.8mm厚のボディを誇り、PlayStation® 5、PC、およびラップトップと互換性があり、PCI-SIG® D8仕様を満たしています。スペースの制限を克服し、究極の設計柔軟性を備えたコンパクトな M.2フォームファクターで最も効率的で高性能なシステムを構築します。
*8.8mm厚 の 1/2/4TB ヒートシンクはラップトップ、デスクトップ PC、PlayStation® 5 に適合します。
*11.25mm厚の 8TBは PlayStation® 5に適合します。
*PlayStation® 5の M.2 SSD 要件については、https://www.playstation.com/support/hardware/ps5-install-m2-ssd/
をご覧ください。
*表示されている画像は説明のみを目的としています。実際の使用環境は異なる場合があります。
| 製品 | Samsung SSD 9100 PRO / 9100 PRO with Heatsink | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 型番 | MZ-VAP1T0B-IT MZ-VAP1T0C-IT （ヒートシンクモデル） |
MZ-VAP2T0B-IT MZ-VAP2T0C-IT （ヒートシンクモデル） |
MZ-VAP4T0B-IT MZ-VAP4T0C-IT （ヒートシンクモデル） |
||
| 容量(*1) | 1TB (1,000GB) | 2TB (2,000GB) | 4TB (4,000GB) | ||
| インターフェース (転送速度・規格値) |
PCIe® Gen 5.0 x4、NVMe™ 2.0 (*2) | ||||
| フォームファクタ | M.2 (2280) / PCI-SIG® D8規格に準拠したヒートシンク搭載（ヒートシンクモデルのみ） | ||||
| 外形寸法(L×W×H) ※最大値 | 80.15 x 22.15 x 2.38 mm 80.15 x 25 x 8.88 mm（ヒートシンクモデル） |
||||
| 搭載 デバイス |
NANDフラッシュ | Samsung V-NAND TLC | |||
| コントローラ | Samsung 自社製 コントローラ | ||||
| キャッシュメモリ | 1GB LPDDR4X | 2GB LPDDR4X | 4GB LPDDR4X | ||
| パフォーマンス (*3)(*4) ※最大値 |
シーケンシャル | 読み出し | 14,700 MB/s | 14,800 MB/s | |
| 書き込み | 13,300 MB/s | 13,400 MB/s | |||
| ランダム (QD 256 Thread 32) |
読み出し | 1,850,000 IOPS | 2,200,000 IOPS | ||
| 書き込み | 2,600,000 IOPS | ||||
| 消費電力 | 動作時 (平均)(*5) |
読み出し | 7.6 W | 8.1 W | 9.0 W |
| 書き込み | 7.2 W | 7.9 W | 8.2 W | ||
| 待機時 | 4.0 mW | 4.8 mW | 6.5 mW | ||
| L1.2モード時 | 3.3 mW | 4.0 mW | 5.7 mW | ||
| 使用環境 | 温度範囲 | 動作時：0℃～70℃ 非動作時：-40℃～85℃ | |||
| 湿度範囲 | 5％～95％(結露なきこと) | ||||
| 耐久性 | 耐衝撃性 | 非動作時：1,500G、0.5ms期間、3軸 | |||
| 耐振動性 | 非動作時：20～2,000Hz、20G | ||||
| MTBF (平均故障間隔) |
150万時間 | ||||
| 各種機能 | TRIMサポート | ○ ※OSが対応している場合 | |||
| ガベージ コレクション |
○ | ||||
| S.M.A.R.T (自己診断機能) |
○ | ||||
| セキュリティ | AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)、TCG/Opal V2.0、Encrypted Drive (IEEE1667) | ||||
| 保証 (*6)(*7) |
TBW | 600 TB | 1,200 TB | 2,400 TB | |
| 保証期間 | 5年限定保証 | ||||
| 製品サポート | サムスンSSDサポートセンターによる電話、メールでのテクニカルサポート | ||||
| 各種取得規格・法規制 | VCCI、RoHS指令準拠 (10物質)(*8) | ||||
| ソフトウェア(*9) | Samsung Magicianソフトウェア (日本語対応) ※ダウンロード対応 | ||||
| 添付品 | インストールガイド＆保証情報 | ||||
(*1) 1ギガバイト(GB) =
1,000,000,000バイト（IDEMA規定）。容量の一部がシステムファイルやメンテナンスに使用される可能性があるため、実際の容量は、製品ラベルの表示と異なる場合があります。
(*2) 本製品はPCIe 4.0 x4 および 3.0 x4 と下位互換性があります。
(*3) シーケンシャルおよびランダムのパフォーマンス測定は、FIO 3.33
に基づいています。パフォーマンスは、SSDのファームウェアバージョン、システムのハードウェア構成や環境設定などによって異なる場合があります。テストシステム: AMD Ryzen 9 7950X 16 コア プロセッサー
CPU@4.50GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2、OS-Ubuntu 22.04.2、チップセット-ASRock-X670E-Taichi
(*4) シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンス測定値はIntelligent TurboWrite（インテリジェントターボライト）テクノロジー有効時のものです。Intelligent
TurboWrite（インテリジェントターボライト）は特定のデータ転送容量内でのみ動作します。詳細は各地域のサポートセンターにお問い合わせください。
(*5) 動作時の消費電力は、AMD Ryzen 5 7600 6 コア プロセッサー CPU@3.80GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2、OS-Ubuntu 22.04.3 LTS、チップセット-ASUS
ProArt X670E-CREATOR WIFI STCOM を搭載した FIO 3.33 で測定されます。
(*6) すべての耐久試験結果はJESD218規格に準拠しております。規格の詳細については、www.jedec.orgをご覧ください。
(*7) 製品保証は、期間（5年間）もしくはTBW（Total Byte
Written=総書き込みバイト数）しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。保証の詳細については、製品同梱の保証情報をご確認ください。
(*8) 本製品のRoHS対応については、https://semiconductor.samsung.com/jp/sustainability/environment/green-chip/in-compliance-with-international-environmental-regulations/をご覧ください。
(*9) 最新版へのアップデートが必要です。www.samsung.com/semiconductor/minisite/jp/support/tools/をご覧ください。
2025年02月時点の情報です。最新情報につきましては、日本サムスン社の製品サイト（https://semiconductor.samsung.com/jp/consumer-storage/）をご確認ください。
* NVMeデザインマーク、NVM Expressは、NVM Express, Inc. の登録商標です。
* PCIeは、PCI-SIGの登録商標です。
