Samsung SSD 990 EVO

パフォーマンス
前モデルよりも約43％高速化した最大5,000MB/sのシーケンシャル読み出し性能

先を行くスピード

990 EVOは、最大5,000/4,200 MB/秒に強化されたシーケンシャル読み出し/書き込み速度と、最大700K/800K IOPSのランダム読み出し/書き込み速度を実現し、970 EVO Plus 2TBより最大43%高速です。ゲームの待ち時間が短縮され、大容量ファイルにすばやくアクセスできます。

* シーケンシャルおよびランダム書き込み性能は、Intelligent TurboWriteテクノロジを有効にして測定されました。Intelligent TurboWriteは、特定のデータ転送サイズ内でのみ動作します。パフォーマンスは、SSDのファームウェア、システムのハードウェアと構成、その他の要因によって異なる場合があります。詳細については、最寄りのサービスセンターにお問い合わせください。
* テストシステム構成: AMD Ryzen9 7950x 16 コアプロセッサー CPU@4.5GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2 (PC5-38400)、OS-Windows 11 Pro 64 ビット、チップセット – ASRock X670E Taichi
* 990 EVOのパフォーマンスを最大限に引き出すには、Inteまたは AMDのウェブサイトでシステムがPCIe^® 4.0 または PCIe^® 5.0をサポートしているかご確認ください。

進化した電力効率

電源を入れたまま使い続けましょう。前モデルに比べて電力効率が70％改善され、バッテリー残量を心配することなく、より長くコンピューティング作業を行うことができます。また、モダンスタンバイに対応しており、低消費電力状態でもインターネットへの接続を維持しながら通知を受けることができます。

* 970 EVO Plusシーケンシャル読み出し/書き込み – 636/550 MB/ワット、990 EVOシーケンシャル読み出し/書き込み – 1,020/933 MB/ワット (1TB モデルの内部テスト結果に基づく)

* モダンスタンバイの詳細については、マイクロソフト社のウェブサイトをご確認ください。

https://learn.microsoft.com/ja-jp/windows-hardware/design/device-experiences/part-selection#ssd-storage

スマートな放熱

990 EVOのヒートスプレッダーラベルは、NANDチップの熱制御をサポートします。サムスンの最先端の熱制御アルゴリズムとダイナミックサーマルガードを組み合わせ、安定したパフォーマンスを維持します。ドライブの過熱を抑えつつ、ハイパフォーマンスを実現しましょう。

あらゆるタスクに適した柔軟性

1台のSSDですべてのタスクを実行します。パフォーマンスを向上させ、ゲーム、ビジネス、クリエイティブな仕事の要求に応えます。最新のPCIe^® 4.0 x4およびPCIe^® 5.0 x2インターフェイスをサポートしており、将来のコンピューティングへの柔軟性も提供します。

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スペック

製品			Samsung SSD 990 EVO
型番			MZ-V9E1T0B-IT	MZ-V9E2T0B-IT
容量^(*1)			1TB (1,000GB)	2TB (2,000GB)
インターフェース(転送速度・規格値)			PCIe^® Gen 4.0 x4 / 5.0 x2、NVMe™ 2.0 ^(*2)
フォームファクタ			M.2 (2280)
外形寸法(L×W×H) ※最大値			80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
搭載デバイス	NANDフラッシュ		Samsung V-NAND TLC
	コントローラ		Samsung 自社製コントローラ
	キャッシュメモリ		HMB (Host Memory Buffer)
パフォーマンス ^(3)(4) ※最大値	シーケンシャル	読み出し	5,000 MB/s
	シーケンシャル	書き込み	4,200 MB/s
	ランダム (QD1 Thread1)	読み出し	20,000 IOPS
	ランダム (QD1 Thread1)	書き込み	90,000 IOPS
	ランダム (QD32 Thread16)	読み出し	680,000 IOPS	700,000 IOPS
	ランダム (QD32 Thread16)	書き込み	800,000 IOPS
消費電力^(*5)	動作時 (平均)	読み出し	4.9 W	5.5 W
	動作時 (平均)	書き込み	4.5 W	4.7 W
	待機時		60 mW
	L1.2モード時		5 mW
使用環境	温度範囲		動作時：0℃～70℃ 非動作時：-40℃～85℃
使用環境	湿度範囲		5％～95％(結露なきこと)
耐久性	耐衝撃性		非動作時：1,500G、0.5ms期間、3軸
	耐振動性		非動作時：20～2,000Hz、20G
	MTBF (平均故障間隔)		150万時間
各種機能	TRIMサポート		○ ※OSが対応している場合
	ガベージコレクション		○
	S.M.A.R.T (自己診断機能)		○
	セキュリティ		AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)、TCG/Opal V2.0 Encrypted Drive (IEEE1667)
保証・サポート	TBW^(*6)		600TB	1,200TB
	保証期間		5年限定保証^(*7)
	製品サポート		サムスンSSDサポートセンターによる電話、メールでのテクニカルサポート
各種取得規格・法規制			VCCI、RoHS指令準拠 (10物質)^(*8)
ソフトウェア(*9)			Samsung Magicianソフトウェア (日本語対応) ※ダウンロード対応
添付品			インストールガイド＆保証情報

(*1) 1ギガバイト(GB) = 1,000,000,000バイト（IDEMA規定）。容量の一部がシステムファイルやメンテナンスに使用される可能性があるため、実際の容量は、製品ラベルの表示と異なる場合があります。
(*2) 本製品はPCIe 4.0 x2およびPCIe 3.0 x4と下位互換性があります。
(*3) パフォーマンスは、SSDのファームウェアバージョン、システムのハードウェア構成や環境設定などによって異なる場合があります。パフォーマンス測定値はIOmeter 1.1.0に基づいています。テストシステムの構成は次のとおりです。AMD Ryzen 9 7950X 16コアプロセッサーCPU@4.50GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2、OS-Windows 11 Pro 64bit、チップセット-ASRock-X670E-Taichi
(*4) シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンス測定値はIntelligent TurboWrite（インテリジェントターボライト）テクノロジー有効時のものです。Intelligent TurboWrite（インテリジェントターボライト）は特定のデータ転送容量内でのみ動作します。詳細は各地域のサポートセンターにお問い合わせください。
(*5) 消費電力の測定値はIOmeter 1.1.0に基づいています。テストシステムの構成は次のとおりです。AMD Ryzen 9 7950X 16コアプロセッサーCPU@4.50GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2、OS-Windows 11 Pro 64bit、チップセット-ASRock-X670E-Taichi
(*6) すべての耐久試験結果はJESD218規格に準拠しております。規格の詳細については、www.jedec.orgをご覧ください。
(*7) 製品保証は、期間（5年間）もしくはTBW（Total Byte Written=総書き込みバイト数）しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。保証の詳細については、製品同梱の保証情報をご確認ください。
(*8) 本製品のRoHS対応については、 https://semiconductor.samsung.com/jp/sustainability/environment/
green-chip/in-compliance-with-international-environmental-regulations/をご覧ください。
(*9) 最新版へのアップデートが必要です。https://semiconductor.samsung.com/jp/consumer-storage/support/tools/をご覧ください。

2024年1月時点の情報です。最新情報につきましては、日本サムスン社の製品サイト（https://semiconductor.samsung.com/jp/consumer-storage/）をご確認ください。

* NVM Express^®の図形標章、NVM Express™は、NVM Express, Inc. の登録商標です。
* PCIe^®は、PCI-SIGの登録商標です。