パフォーマンス
電力効率
前モデルと比較して電力効率が70%向上し、モダンスタンバイにより長いバッテリー寿命をサポートします。
様々な用途に
PCIe
® 4.0 x4 およびPCIe
® 5.0 x2互換により、ゲーム、ビジネス、クリエイティブな作業における日常のパフォーマンスを向上させます。
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先を行くスピード
990 EVOは、最大5,000/4,200 MB/秒に強化されたシーケンシャル読み出し/書き込み速度と、最大700K/800K IOPSのランダム読み出し/書き込み速度を実現し、970 EVO Plus
2TBより最大43%高速です。ゲームの待ち時間が短縮され、大容量ファイルにすばやくアクセスできます。
* シーケンシャルおよびランダム書き込み性能は、Intelligent TurboWriteテクノロジを有効にして測定されました。Intelligent
TurboWriteは、特定のデータ転送サイズ内でのみ動作します。パフォーマンスは、SSDのファームウェア、システムのハードウェアと構成、その他の要因によって異なる場合があります。詳細については、最寄りのサービスセンターにお問い合わせください。® 4.0 または PCIe®
5.0をサポートしているかご確認ください。
スマートな放熱
990
EVOのヒートスプレッダーラベルは、NANDチップの熱制御をサポートします。サムスンの最先端の熱制御アルゴリズムとダイナミックサーマルガードを組み合わせ、安定したパフォーマンスを維持します。ドライブの過熱を抑えつつ、ハイパフォーマンスを実現しましょう。
あらゆるタスクに適した柔軟性
1台のSSDですべてのタスクを実行します。パフォーマンスを向上させ、ゲーム、ビジネス、クリエイティブな仕事の要求に応えます。最新のPCIe® 4.0
x4およびPCIe® 5.0 x2インターフェイスをサポートしており、将来のコンピューティングへの柔軟性も提供します。
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スペック
製品
Samsung SSD 990 EVO
型番
MZ-V9E1T0B-IT
MZ-V9E2T0B-IT
容量(*1)
1TB (1,000GB)
2TB (2,000GB)
インターフェース(転送速度・規格値)
PCIe® Gen 4.0 x4 / 5.0 x2、NVMe™ 2.0
(*2)
フォームファクタ
M.2 (2280)
外形寸法(L×W×H) ※最大値
80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
搭載デバイス
NANDフラッシュ
Samsung V-NAND TLC
コントローラ
Samsung 自社製コントローラ
キャッシュメモリ
HMB (Host Memory Buffer)
パフォーマンス(*3)(*4)
シーケンシャル
読み出し
5,000 MB/s
書き込み
4,200 MB/s
ランダム
読み出し
20,000 IOPS
書き込み
90,000 IOPS
ランダム
読み出し
680,000 IOPS
700,000 IOPS
書き込み
800,000 IOPS
消費電力(*5)
動作時
読み出し
4.9 W
5.5 W
書き込み
4.5 W
4.7 W
待機時
60 mW
L1.2モード時
5 mW
使用環境
温度範囲
動作時：0℃～70℃ 非動作時：-40℃～85℃
湿度範囲
5％～95％(結露なきこと)
耐久性
耐衝撃性
非動作時：1,500G、0.5ms期間、3軸
耐振動性
非動作時：20～2,000Hz、20G
MTBF
150万時間
各種機能
TRIMサポート
○ ※OSが対応している場合
ガベージコレクション
○
S.M.A.R.T
○
セキュリティ
AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)、TCG/Opal V2.0
保証・サポート
TBW(*6)
600TB
1,200TB
保証期間
5年限定保証(*7)
製品サポート
サムスンSSDサポートセンターによる電話、メールでのテクニカルサポート
各種取得規格・法規制
VCCI、RoHS指令準拠 (10物質)(*8)
ソフトウェア(*9)
Samsung Magicianソフトウェア (日本語対応) ※ダウンロード対応
添付品
インストールガイド＆保証情報
(*1) 1ギガバイト(GB) =
1,000,000,000バイト（IDEMA規定）。容量の一部がシステムファイルやメンテナンスに使用される可能性があるため、実際の容量は、製品ラベルの表示と異なる場合があります。 (*2) 本製品はPCIe 4.0 x2およびPCIe 3.0 x4と下位互換性があります。 (*3) パフォーマンスは、SSDのファームウェアバージョン、システムのハードウェア構成や環境設定などによって異なる場合があります。パフォーマンス測定値はIOmeter
1.1.0に基づいています。テストシステムの構成は次のとおりです。AMD Ryzen 9 7950X 16コアプロセッサーCPU@4.50GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2、OS-Windows 11 Pro
64bit、チップセット-ASRock-X670E-Taichi (*4) シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンス測定値はIntelligent
TurboWrite（インテリジェントターボライト）テクノロジー有効時のものです。Intelligent
TurboWrite（インテリジェントターボライト）は特定のデータ転送容量内でのみ動作します。詳細は各地域のサポートセンターにお問い合わせください。 (*5) 消費電力の測定値はIOmeter 1.1.0に基づいています。テストシステムの構成は次のとおりです。AMD Ryzen 9 7950X
16コアプロセッサーCPU@4.50GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2、OS-Windows 11 Pro 64bit、チップセット-ASRock-X670E-Taichi (*6) すべての耐久試験結果はJESD218規格に準拠しております。規格の詳細については、www.jedec.orgをご覧ください。 (*7) 製品保証は、期間（5年間）もしくはTBW（Total Byte
Written=総書き込みバイト数）しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。保証の詳細については、製品同梱の保証情報をご確認ください。 (*8) 本製品のRoHS対応については、
https://semiconductor.samsung.com/jp/sustainability/environment/ をご覧ください。 (*9) 最新版へのアップデートが必要です。https://semiconductor.samsung.com/jp/consumer-storage/support/tools/ をご覧ください。
2024年1月時点の情報です。最新情報につきましては、日本サムスン社の製品サイト（https://semiconductor.samsung.com/jp/consumer-storage/ ）をご確認ください。
* NVM Express® の図形標章、NVM Express™は、NVM Express, Inc. の登録商標です。® は、PCI-SIGの登録商標です。
